Transistor  (24.752 Angebote unter 28.103.722 Artikeln)Zum Expertenwissen

Low-Side-Schalter, SN75468N, Texas Instruments Der SN75468N ist ein Hochspannungs-Hochstrom-Darlington-Transistor-Array. Jedes besteht aus sieben NPN-Darlington-Paaren, die Hochspannungsausgänge mi...

Produktpalette: - MSL: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: 47 kohm Anzahl der Pins: 3 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: Einfach PNP Betrie...

Wandlerpolarität: NPN Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Produktpalette: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) Betriebstemperatur, max.: 150 °C Qualifikation: - Transistormontage: Through Hole RoHS konform: Ja

Technologie: TRANSISTOR NPN Kollektor-Emitter-Spannung: 32 V Emitter-Base-Spannung: 7 V Kollektorstrom: 0,2 A Verlustleistung @Ta=25 °C: 0,6 W Betriebstemperatur: -65 -200 °C

PUT steht für Programmable Unijunction Transistor. Das "Gate" verbindet die Anode und Kathode, die sich an der ersten und der letzten p-n-dotierten Schicht befinden. Der PUT enthält drei p-n-Übergä...

Dauer-Kollektorstrom max. = 100 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 375 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl...

SIPMOS Leistungs-MOSFET NFET en. N-Kanal-Ausführung. Technische Merkmale (Typ, Spannung (VDS), Strom (ID). Widerstand (RDS), Gehäuse, Hersteller): BUZ12, 50 V, 42 A, 28 m Ohm, TO220, COMSET

Produktpalette: DTC114T Series MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Eingangswiderstand R1: 10 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: - Anzahl der Pins: 3 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolar...

SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) Betriebstemperatur, max.: 200 °C Transistormontage: Through Hole Qualifikation: - Wandlerpolarität: NPN Anzahl der Pins: 2 Pin(s) Produktpalette: - RoHS konform: Ja

Technologie: TRANSISTOR NPN Kollektor-Emitter-Spannung: 45 V Emitter-Base-Spannung: 7 V Kollektorstrom: 0,2 A Verlustleistung @Ta=25 °C: 0,6 W Betriebstemperatur: -65 -200 °C

Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 326 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl ...

NCNR-Produkt ist nicht stornierbar/retournierbar, Leistungsmodul (PIM, IPM), FP25R12KT4B15BOSA1, Infineon Technologies Features * Niedrige Schaltverluste * Grundplatte aus Kupfer * Hohe Leistung un...

Produktpalette: DTC123E Series MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2 kohm Anzahl der Pins: 3 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wand...

Qualifikation: - DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15 hFE Verlustleistung: 250 W MSL: - Dauer-Kollektorstrom: 16 A Wandlerpolarität: NPN Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200 V Bau...

Technologie: TRANSISTOR NPN Kollektor-Emitter-Spannung: 45 V Emitter-Base-Spannung: 7 V Kollektorstrom: 0,2 A Verlustleistung @Ta=25 °C: 0,6 W Betriebstemperatur: -65 -200 °C