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  Transistor  (24.842 Angebote unter 28.116.876 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"Transistor"

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DiodesZetex ZXT690BKTC SMD, NPN Transistor 45 V / 3 A 150 MHz, DPAK (TO-252) 4-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 3 A Kollektor-Emitter-Spannung = 45 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 3,9 W Gleichstromverstärkung min. = 400 Tra...
Diodes
ZXT690BKTC
ab € 2,39*
pro 5 Stück
 
 Packung
IGBT Modul NCH 1200V 320A 1050W ECONOD4-11 FF225R12ME4B11BPSA1 (1 Angebot) 
NCNR-Produkt ist nicht stornierbar/retournierbar, Leistungsmodul (PIM, IPM), FF225R12ME4B11BPSA1, Infineon Technologies Features * Niedrige V * Standardgehäuse * Hohe Wärmebeständigkeit * Hohe Verl...
Infineon
FF225R12ME4B11BPSA1
ab € 135,09*
pro Stück
 
 Stück
Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm (2 Angebote) 
MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2 kohm Anzahl der Pins: 3 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: Einfach NPN Betri...
ROHM Semiconductor
DTC123EKAT146
ab € 0,0282*
pro Stück
 
 Packungen
SOLID STATE MJ16018 BJT, NPN, TO-3, Transistor Polarity:NPN, (1 Angebot) 
Bauform - Transistor: TO-3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800 V Übergangsfrequenz: - Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 10 A Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung: 175 ...
Solid State
MJ16018
ab € 13,67*
pro Stück
 
 Stück
BCY79-9 TO18 THT TRANSISTOR PNP (1 Angebot) 
Technologie: TRANSISTOR PNP Kollektor-Emitter-Spannung: -45 V Emitter-Base-Spannung: -5 V Kollektorstrom: -0,2 A Verlustleistung @Ta=25 °C: 0,6 W Betriebstemperatur: -65 -200 °C
CDIL
BCY79-9
ab € 0,22*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 100 A ±20V max., 600 V 333 W, 3-Pin TO-247 (3 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 100 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 333 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Transistor-K...
Infineon
IKW50N60TFKSA1
ab € 3,71*
pro Stück
 
 Stück
IGBT Modul NCH 1200V 39A 175W EASY2B2-23 FP25R12W2T4B11BOMA1 (3 Angebote) 
NCNR-Produkt ist nicht stornierbar/retournierbar, IGBT-Modul, FP25R12W2T4B11BOMA1, Infineon IGBT-Modul Grabenfeldanschlag, dreiphasig, Wechselrichter-Einbaumodul. Features * Geringe Schaltverluste ...
Infineon
FP25R12W2T4B11BOMA1
ab € 39,86*
pro Stück
 
 Stück
Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm (3 Angebote) 
Produktpalette: DTC123Y Series MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: 10 kohm Anzahl der Pins: 3 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wandl...
ROHM Semiconductor
DTC123YETL
ab € 0,0763*
pro Stück
 
 Packungen
BDV65C TO-3PN THT TRANSISTOR NPN/DARLINGTON (1 Angebot) 
Technologie: TRANSISTOR NPN/DARLINGTON Kollektor-Emitter-Spannung: 120 V Kollektor-Base-Spannung: 120 V Kollektorstrom: 12 A Verlustleistung: 125 W
INCHANGE
BDV65C
ab € 0,66*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 20 A ±20V max., 1200 V, 3-Pin TO-247AC N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 20 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Gehäusegröße = TO-247AC Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Konfiguratio...
Infineon
IRG4PH30KPBF
ab € 2,03*
pro Stück
 
 Stück
IGBT Modul NCH 600V 22A 81W EASY1B2-23 FP15R06W1E3B11BOMA1 (1 Angebot) 
NCNR-Produkt ist nicht stornierbar/retournierbar, Leistungsmodul (PIM, IPM), FP15R06W1E3B11BOMA1, Infineon Technologies Features * Niedrige Schaltverluste * Kompakte Bauweise * PressFIT-Kontakttech...
Infineon
FP15R06W1E3B11BOMA1
ab € 26,30*
pro Stück
 
 Stück
Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm (1 Angebot) 
Produktpalette: DTC143Z Series MSL: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: 47 kohm Anzahl der Pins: 3 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: Einf...
ROHM Semiconductor
DTC143ZUAT106
ab € 0,0215*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 80 A ±20V max., 1200 V 483 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 483 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl ...
Infineon
IKW40N120H3FKSA1
ab € 4,57*
pro Stück
 
 Stück
IGBT Modul NCH 650V 70A 190W ECONO24-31 FP50R07N2E4B11BOSA1 (1 Angebot) 
NCNR-Produkt ist nicht stornierbar/retournierbar, Leistungsmodul (PIM, IPM), FP50R07N2E4B11BOSA1, Infineon Technologies Features * Erhöhte Sperrspannungsfähigkeit auf 650 V * Hohe Kurzschlussfestig...
Infineon
FP50R07N2E4B11BOSA1
ab € 90,10*
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 Stück
Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm (1 Angebot) 
Produktpalette: DTC143T Series MSL: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: - Anzahl der Pins: 3 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: Einfach NP...
ROHM Semiconductor
DTC143TUAT106
ab € 0,0318*
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